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Memoria de almacenamiento 1.000 veces más rápidas que las memorias flash

Gonzalo Sanchez del Pozo
Ambas multinacionales estadounidenses se han propuesto lograr el desarrollo de una memoria 1.000 veces más rápida que la memoria Flash. Recordemos que la memoria Flash es capaz de hacer miles de lecturas de lectura y escritura en cada señal de reloj. El desarrollo es necesario porque cada día que pasa los sistemas tienen que lidiar con más y más datos
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Memoria de almacenamiento 1.000 veces más rápidas que las memorias flash
Dos de las empresas que estarían trabajando en esas nuevas memorias, y además conjuntamente, son SanDisk y HP. Cada empresa estaría aportando su propia tecnología para lograrlo; memoria ReRAM en el caso de ScanDisk como la tecnología MEMRISTOR que es propiedad de HP.
El objetivo que buscan esas dos tecnológicas es lograr una memoria que sea al menos 1.000 veces más rápida que la memoria Flash actual. En esencia, recordamos, una memoria Flash permite la lectura y escritura en múltiples posiciones de memoria en la misma operación. En caso de lograr esa memoria 1.000 veces más rápida que la memoria Flash hablamos de superar la velocidad de la memoria DRAM.
La necesidad de esta memoria la cifra HP en un entorno en el cual las organizaciones cada día que pasa tienen que lidiar con más datos y procesarlos a la mayor velocidad posible como estrategia para seguir en el mercado. También desde HP se valora como muy positivo el estar trabajando conjuntamente con SanDisk.
Por el otro lado, esto es, desde SanDisk, su vicepresidente ejecutivo, Siva Sivaram, incide en el hecho de que la colaboración con HP va a permitir a la empresa en la que trabaja desarrollar soluciones de tecnología SMC.
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