Compuesto por ocho chips V-NAND de 512Gb y un controlador integrado, el nuevo Samsung eUFS duplica la densidad del modelo anterior de 256GB basado en 48 capas en prácticamente el mismo tamaño.
Samsung eUFS listo para integrarse
Para impulsar el máximo rendimiento y eficiencia energética, Samsung ha introducido un nuevo conjunto de tecnologías patentadas, como un controlador renovado que minimiza el consumo de energía y acelera el proceso de mapeo para convertir las direcciones lógicas de bloques en direcciones físicas de bloques.
La velocidad de lectura secuencial es de 860MB/s mientras que en escritura secuencial, pueden alcanzar los 255MB/s. Gracias al uso de los nuevos chips V-NAND, se pueden obtener 42.000 IOPS (operaciones de entrada/salida por segundo) en lectura aleatoria y 40.000 IOPS en escritura aleatoria.
Con la producción en masa apenas comenzada, no tomará mucho tiempo antes de que se integren en dispositivos de próxima generación como los Samsung Galaxy S9 y Samsung Galaxy Note 9.
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